飞兆半导体NPT沟道IGBT提供“业界最佳”的抗雪崩能力

飞兆半导体NPT沟道IGBT提供“业界最佳”的抗雪崩能力

     （华强电子世界网讯） 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 的FGA25N120ANTD 1200V NPT沟道 IGBT结合业界最佳的抗雪崩能力和经优化的开关和导通损耗性能权衡，能为电磁加热 (IH) 应用提高系统可靠性和效率。FGA25N120ANTD 专为微波炉、IH电饭煲和其它IH炊具而设计，与上一代器件相比，它的工作温度可降低达10℃，因而能够延长系统寿命。NPT沟道IGBT采用飞兆半导体的专利沟道技术和非穿通型 (NPT) 技术。这种优化的单元设计和薄型晶圆制造工艺使得FGA25N120ANTD能够耐受最大450mJ的雪崩能量，确保在异常的雪崩模式情况下仍能进行无故障运作。
    

     飞兆半导体功能功率部副总裁Taehoon Kim称：“在电磁加热设备中，不稳定的功率、AC线路浪涌和系统故障会引起雪崩模式情况，导致机器瞬间失效。为了解决IH应用中的这些可靠性问题，我们的新型1200V NPT沟道IGBT提供业界最佳的抗雪崩能力，还同时优化性能方面的权衡，以降低工作温度及提升总体系统效率。”
    
    FGA25N120ANTD的其它特性和系统优势包括：
     低饱和电压 (VCE(sat), typ = 2.0V @ IC = 25A 和 TC = 25°C) 以限制导通损耗；
     低开关损耗 (Eoff, typ = 0.96mJ @ IC = 25A 和 TC = 25°C) 以减少系统功耗；以及
     内置FRD (快速恢复二极管) 以简化电路设计和减少元件数。
    
     FGA25N120ANTD以TO-3P无铅封装形式供货，能达到甚至超越IPC/JEDEC的 J-STD-020B标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。
    
     飞兆半导体针对高功率电磁加热应用如电饭煲和其它IH饮具及微波炉等，提供范围广泛的 600V至1700V分立 IGBT产品集，能够满足客户对于电磁加热拓扑各种不同的需求。