GaAs-on-silicon芯片技术有突破 摩托罗拉计划退出

GaAs-on-silicon芯片技术有突破 摩托罗拉计划退出

     （华强电子世界网讯） 摩托罗拉公司已经逐步放弃gallium-arsenide-on-silicon芯片技术商业化的努力。该公司的实验室在这一领域取得技术突破，并可用于使开发基于廉价光通信、高频无线电设备和高速微处理器的系统，在宽带通信方面很有市场前景。摩托罗拉公司在2001年组建了叫做Thoughtbeam的全资子公司，进行GaAs-on-silicon技术的开发、销售，以及发放在高速无线设备和光电子设备中使用GaAs-on-silicon技术的许可证。
    
     但摩托罗拉公司已经大幅削减了Thoughtbeam公司的资金投入，并在2003年1月1日将ThoughtBeam公司的前总经理Padmasree Warrior提升为摩托罗拉公司的首席技术官。
    
     摩托罗拉公司还与英国的IQE公司签订了生产GaAs-on-silicon晶片的许可协议，投入现金获得其股份，并根据合同在2002年上半年生产出评估晶片。IQE公司的发言人说：“我们确实生产出了GaAs-on-silicon芯片，但此时GaAs芯片价格已经降价，不值得将其商品化。摩托罗拉公司建议我们开始研究indium-phosphide-on-silicon和Gallium-nitride-on-silicon技术。”