联电进军SoC

     (华强电子世界网讯) 联电与高密度系统单芯片(SoC)嵌入式内存供应商MoSys十九日宣布，联电取得MoSys的1T-SRAM技术授权。这意味着联电正式进军SoC领域。
    
     联电表示，此举将加强现有矽智产元件( IP)服务，并可直接提供客户1T-SRAM内存，直至0．09微米制程。 联电表示，这次协议中所提供的1T-SRAM，是特别为联电制程所量身订作，并由联电负责销售。
    
     根据联电的技术蓝图(Technologyroadmap)，适用于0．15微米及0．18微米
    制程并经验证过的1T-SRAM技术，可望在明年第一季度提供；而适用于0．13微米及0．09微米制程技术，可望分别在明年第二季度及下半年度提供。 联电表示，由MoSys取得矽智产元件后，可应用在0．18至0．09微米制程上。 联电并
    将此高密度(ultra-high density)1T-SRAM内存技术客制化，提供更多重的选择。