Hynix计划2003年建成一条300毫米晶圆试生产线

Hynix计划2003年建成一条300毫米晶圆试生产线

     (华强电子世界网讯) 韩国内存厂商Hynix Semiconductor公司计划在2003年第四季度开通一条300毫米晶圆试生产线，并在开通一个季度后开始初步生产。
    
     Hynix全球营销副总裁Farhad Tabrizi表示，300毫米晶圆厂将采用0.1微米工艺。第一批芯片将是512Mb DDR内存，将在2004年第二季度扩展至1Gb DDR。
    
     Hynix将在2003年第三季度利用现有的200毫米晶圆厂开始生产1Gb DDR样品，并于2003年第四季度正式投产。