Vishay推出用PowerPAK封装的功率MOSFET

来源:慧聪网 作者: 时间:2004-04-20 21:09

     (华强电子世界网讯) Vishay Intertechnology公司日前宣布推出采用小型PowerPAK 1212-8封装的业界首款200V 功率MOSFET器件。
    
     针对固定电信网络与路由器中主要的电源直流到直流转换应用,新型N通道Si7820DN TrenchFET功率MOSFET是电源交换市场中的最小200V器件。PowerPAK 1212-8封装的面积为3.3毫米×3.3毫米,高度仅为1.07毫米,其在提供极为卓越的热性能的同时提供了比SO-8解决方案更小的尺寸。PowerPAK 1212-8封装的功率消耗为3.8W,几乎是任何具有TSSOP-8 封装尺寸或更小尺寸的MOSFET器件的两倍。
    
     该封装典型的热阻仅为1.9℃/W,而SO-8的为16℃/W。除空间节约及其高电压性能外,Si7820DN还具备240mΩ的导通电阻和12.1nC(VGS=10V)的栅极电荷。新型功率MOSFET的工作结温和存放温度范围规定为–55℃~+150℃
    
     新型200V Si7820DN TrenchFET功率MOSFET的样品现可提供,量产供货周期为10~12周。
    
    

(编辑 keil)

    
    
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