Hynix在全球首次开发出1GB DDR2 DRAM内存

Hynix在全球首次开发出1GB DDR2 DRAM内存

     （华强电子世界网讯） 据韩国媒体8月11日报道，Hynix半导体公司日前宣布，它已经在全球首次开发出基于0.11微米制造工艺的1GB的DDR2 DRAM内存片。
    
     该新开发的内存片的数据处理速度是先前DDR内存片的两倍，预计将被用于高端服务器电脑、PC和工作站的主存储器。目前，市场上只有512MB DDR2 DRAM内存片，而1GB DDR2 DRAM尚属首次开发出来。
    
    　　该芯片制造商将于明年初开始量产1GB DDR2 DRAM，届时英特尔支持该内存片的芯片集也将面世。