IDF写真:英特尔新PDA CPU可集成1Gb闪存!
(华强电子世界网讯) 为缩减手机与PDA等手持无线通信设备的体积与成本，Intel日前在我国台湾省举办的Intel开发商论坛上推出了堆栈方式封装的PXA261与PXA262微处理器。
PXA261与PXA262微处理器用堆栈式封装将Xscale微处理器核心，新一代、采用0.13微米制造工艺制造的StrataFlash闪存封装在单颗芯片中，其耗电量仅有1.8伏。其集成闪存容量目前有64Mb、128Mb及256Mb三种，最高则可达1Gb。
据介绍，StrataFlash闪存用0.13微米工艺生产后，在面积上比原先采用0.18微米工艺生产的产品缩小了75%。与Xscale核心封装在一起组成PXA261与PXA262后，其面积也比Xscale处理器与单个闪存面积之和缩减了56%（PXA261，配一组128Mb StrataFlash）及65%（PXA262，配两组128Mb StrataFlash）。
PXA261与PXA262将于2003年第一季度量产，其建议售价为：Intel PXA261 200MHz/128Mb为36.10美元；PXA262 200MHz/300MHz/256Mb万颗批发单位分别为54.60美元及62.60美元。
主持这次发布会的Intel无线通信和计算部门总经理Ronald J. Smith表示，眼下电子产品标准已进入第三代，将通信与计算功能集成是大势所趋。Intel目前除推出以堆栈方式将微处理器与闪存封装在一起的产品外，还用0.13微米制造工艺开发出了新一代集成型单芯片——Manitoba，它是Intel首款集成逻辑与模拟信号处理能力、将闪存及SRAM“集”于一身的系统单芯片产品，预计它将于2003年正式采用0.09微米工艺量产，未来其主打对象将是2.5代移动通信产品。
PXA261与PXA262微处理器用堆栈式封装将Xscale微处理器核心，新一代、采用0.13微米制造工艺制造的StrataFlash闪存封装在单颗芯片中，其耗电量仅有1.8伏。其集成闪存容量目前有64Mb、128Mb及256Mb三种，最高则可达1Gb。
据介绍，StrataFlash闪存用0.13微米工艺生产后，在面积上比原先采用0.18微米工艺生产的产品缩小了75%。与Xscale核心封装在一起组成PXA261与PXA262后，其面积也比Xscale处理器与单个闪存面积之和缩减了56%（PXA261，配一组128Mb StrataFlash）及65%（PXA262，配两组128Mb StrataFlash）。
PXA261与PXA262将于2003年第一季度量产，其建议售价为：Intel PXA261 200MHz/128Mb为36.10美元；PXA262 200MHz/300MHz/256Mb万颗批发单位分别为54.60美元及62.60美元。
主持这次发布会的Intel无线通信和计算部门总经理Ronald J. Smith表示，眼下电子产品标准已进入第三代，将通信与计算功能集成是大势所趋。Intel目前除推出以堆栈方式将微处理器与闪存封装在一起的产品外，还用0.13微米制造工艺开发出了新一代集成型单芯片——Manitoba，它是Intel首款集成逻辑与模拟信号处理能力、将闪存及SRAM“集”于一身的系统单芯片产品，预计它将于2003年正式采用0.09微米工艺量产，未来其主打对象将是2.5代移动通信产品。
(编辑 格子)