英飞凌线性特性提高10％的大功率场效应晶体管

英飞凌线性特性提高10％的大功率场效应晶体管

     （华强电子世界网讯） 德国Infineon Technologies AG推出采用LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor＝横向扩散金属氧化物半导体）技术的高频大功率场效应晶体管“GOLDMOS”产品群的新产品。该产品适用于移动通信基站和电台电视台的发射放大器等。计划从2004年第3季度开始发货工业样品，从2004年第4季度开始批量生产。
    
    　　此次推出的产品的线性特性标准比以往产品提高了10％。另外还提高了带宽性能、减小记忆效果以及改善了热特性。以2.1GHz单端（single end）型100W产品“PTFA211001E”为例，在双载波WCDMA 3GPP模式下，平均输出功率为22W，增益为16.5dB，效率为30％。带宽达几百MHz，三阶互调失真（IM3）降到－37dBc，热电阻降到0.38℃/W。与以往产品比较，功率密度和热阻抗提高了30％。