三星调高资本支出 DRAM股攀高

三星调高资本支出 DRAM股攀高

     (华强电子世界网讯) 据悉，三星董事会决定扩大投资7868亿韩元，以作为升级及扩产内存产能，此举引发了三星对于明年Flash 内存需求看好的联想。
    
    　　外电报道指出，三星已宣布加码7868亿韩元的投资案，将扩大Flash内存的产能，主要是因为预期NAND闪存芯片需求将更加强劲，看好2006年全球内存芯片市场，符合生产商均增加资本支出的潮流，但在DRAM市场的增长趋缓，将使得三星的资本支出增长速度将有所缓和。美林证券预计，三星2006年的资本支出将增加5%。
    
    　　业内人士估计，三星积极扩大Flash内存产能，主要因应明年市场的需求增长，对于DRAM产能的扩充，则未有进一步的扩产计划，一方面说明明年Flash市场的快速增长，一方面也代表，明年全球主要DRAM大厂，在Flash的竞争转趋白热化下，已无暇在DRAM市占率上做更大的突破，使得DRAM的供应量将受到控制，有助价格回稳。