三星高官因操纵DRAM价格被令服刑及罚款

三星高官因操纵DRAM价格被令服刑及罚款

     (华强电子世界网讯) 全球最大的 DRAM储存芯片制造商三星电子公司的三名官员由于在全球共谋操纵DRAM 储存芯片价格，当地时间本周三已经同意美国司法部宣判的罪行并接受服刑和罚款。
    
    　　美国司法部表示，三星电子公司DRAM 储存芯片销售经理Sun Woo Lee同意在美国监狱服刑八个月， 三星电子公司美国子公司DRAM 储存芯片营销副主任Yeongho Kang和三星电子公司德国子公司DRAM 储存芯片销售主任 Young Woo Lee二人均同意在美国监狱服刑七个月。他们三人同意分别支付25万美元的罚款，并将积极的与美国司法部合作，对DRAM储存芯片价格操纵案进行调查。韩国官员每人面临的重罪是由于他们违反了美国的]谢尔曼反垄断法(Sherman Antitrust Act.)。
    
    　　美国律师Alberto Gonzales 在一份声明中说：“为了防止犯罪的发生，犯罪个人将接受在监狱服刑的条款，不仅企业需要支付犯罪罚款，犯罪个人也不能幸免。我们将负责的对所有的同谋者发送一个清楚的信息，看他们在国内和国外的的违法行为是否伤害了美国的用户。” 美国司法部的请求和判决已经获得美国旧金山地方法院的批准。
    
    　　美国司法部表示，DRAM储存芯片是一种非常普通的半导体储存产品，它广泛用在计算机、笔记本电脑、服务器、硬盘驱动器、手机、数码相机、游戏机和其他装置中。在2004年期间，在美国销售的 DRAM储存芯片价值大约为77亿美元。
    
    　　据本周三提出的诉讼显示，在1999年4月至2002年6月期间，三个三星电子公司的官员和其他DRAM储存芯片制造商的员工共谋 操纵了DRAM 储存芯片价格，他们共谋 操纵DRAM 储存芯片价格影响了包括戴尔公司、惠普公司和苹果计算机公司等几个`计算机制造商的销售。
    
    　　在本周三的诉讼中，美国司法部控诉了四个公司和12个犯罪个人，估计在对共谋 操纵DRAM 储存芯片价格的调查中，罚款将超过7.31亿美元。美国司法部于2003年12月份开始了了这一案例的首次调查。本月早些时候，韩国现代半导体公司的四名官员已经同意接受罚款并服刑。
    
    　　三星电子公司在2005年1月已经被命令支付了3亿美元的罚款。全球第二个最大的DRAM 储存芯片制造商现代半导体公司在2005年5月被命令支付了1.85亿美元的罚款。日本的Elpida 储存公司在一月份已经同意支付8400万美元罚款，德国英飞凌科技公司在2004年十月份已经同意支付1.6亿美元的罚款。