三星电子今年在半导体领域的投资将首度超越Intel

三星电子今年在半导体领域的投资将首度超越Intel

     (华强电子世界网讯） 根据南韩Digital Times 22日的报导，三星电子今年在半导体领域的投资（不含TFT-LCD）将首度超越过去一向居首的英特尔。
    
     三星电子去年总计在内存与非内存领域投资19.9亿美元，预期今年的投资规模将达38.7亿美元，较去年增加94.5％。而反观英特尔，预期今年的投资额不会超过37亿美元，此一投资规模较去年的47亿美元减少21.3％。
    
     三星电子在第三季业绩发表会中表示，将在内存与TFT-LCD领域追加投资5千亿韩元。基此，今年三星电子在半导体领域（含TFT-LCD）的投资费用将扩增到57亿美元（6.27兆韩元；以1美元兑换1,100韩元换算）。若剔除投资TFT-LCD领域的18.3亿美元（2.01兆韩元），在内存与系统LSI领域的投资费用计达38.7亿美元（4.26兆韩元），即便扣除光驱与硬盘领域的投资费用，投资额亦达38.34亿美元（4.22兆韩元）。
    
     在英特尔方面，今年的资本支出（含设备投资）原本设定在35~39亿韩元，然在此次第三季业绩发表时调整为36~37亿美元，此一投资规模与三星电子的38.34亿美元至少相差1.34亿美元。
    
     分析指出，三星电子在半导体领域的投资之所以超过英特尔，系因三星电子主攻的DRAM与闪存市场在最近出现明显复苏态势，刺激三星电子的投资意愿，而英特尔主攻的CPU市场则受到PC市场低迷的影响，复苏力道不足，致使英特尔保守因应所致。