NAND闪存市场风暴将起

NAND闪存市场风暴将起

     (华强电子世界网讯) 据网站Semiconductor Reporter消息指出，DRAM大厂美光（Micron）董事长、总裁暨执行长Steven R. Appleton表示，除既有DRAM产品外，美光将切入NAND型闪存（Flash）市场，以扩充内存产品线。台湾DRAM厂认为，美光加入NAND型Flash市场，恐将掀起另一波腥风血雨厮杀，但因DRAM厂产能陆续转做Flash，反而有助于DRAM价格止跌回升，似乎利弊兼具。
    
     Appleton指出，DRAM位消耗量（bit consumption）增长速度大不如前，过去年增率平均可达75％，如今滑落至仅50％；相较之下，Flash却随手机、数码相机等市场需求涌现趁势而起，成为内存厂商救命仙丹。为因应此趋势，美光决定拓展Flash、Pseudo SRAM及网络专用RLDRAM等产品线，特别是在Flash方面，将从既有NOR Flash产品线，进一步跨入NAND Flash领域。
    
     Appleton表示，2004年手机销售量若可达业界所预期约5亿只，手机内存消耗量自然相当庞大。他预估目前Flash位消耗量年增率相当于PC发展早期时的水平，达75％，未来随着手机、无线通讯装置愈趋普及，包括Pseudo SRAM、低功率DRAM、NOR Flash和NAND Flash将在内存市场扮演相当重要角色。
    
     事实上，除美光之外，包括三星、英飞凌与Hynix等DRAM大厂，亦积极进军Flash市场。Appleton强调，在激烈市场竞争下，可存活的厂商将属少数。
    
    　　对于全球各大DRAM厂争相加入NAND Flash市场战局，台湾DRAM业者认为，可预期未来NAND Flash市场恐将继DRAM产业后，成为另一个腥风血雨厮杀的战场。
    
     多家台厂表示，全球DRAM大厂看好未来NAND Flash市场需求将远高于DRAM颗粒，纷加紧NAND Flash投产或扩产脚步，像是三星将其12吋厂生产线部份转移做Flash，东芝也宣布与SanDisk共同出资建造12吋厂，以因应Flash市场需求。
    
    　　此外，包括英飞凌、Hynix及瑞萨等大厂，也将自2004年起陆续进入NAND Flash市场，使得该市场竞争更趋白热化，如今加上全球第二大DRAM厂美光也加入战局，可想见未来NAND Flash恐将进入价格血腥战的时代。
    
    　　台湾DRAM厂表示，目前完全掌握NAND Flash市场大饼的三星与东芝，绝对不会坐以待毙，三星近来便全面加速NAND Flash产品制程技术微缩动作，并将生产重心由8吋厂转移至12吋厂，使得竞争对手在甫进入市场时，便遭遇极大的竞争障碍。
    
    　　而这些在2004年才陆续进入NAND Flash市场的后进者，包括Hynix、英飞凌及美光等，为快速抢夺市占率，势必会发动大规模价格战，因此，一场腥风血雨的价格战已势所难免，况且美光向来注重成本优势，在加入战局后，NAND Flash市场恐将重蹈过去DRAM恶性竞争的覆辙。
    
    　　不过，众家厂商纷跨足NAND Flash市场，也不是全然不好，台厂便认为，DRAM厂大举投入NAND Flash市场后，在产能有限且2项产品制造平台几乎相同情况下，反而有助于DRAM产业整体发展，市场价格可望更趋稳定。