竞争激烈价格下挫 闪存明年形式严峻

竞争激烈价格下挫 闪存明年形式严峻

     (华强电子世界网独家报道) 存储芯片的日子今年确实不好过，DRAM内存芯片今年似乎难见翻身的机会，大部分经销商表示今年的旺季将不再出现；看NAND和NOR型闪存芯片，且不论这两种闪存芯片谁主沉浮，闪存整体市场的营收表现也一季不如一季。据调研机构iSuppli最新公布的调查结果显示，今年第三季度全球闪存销售额为39.9亿美元，与第二季度的42亿美元相比下降了4%。对此，iSuppli表示：“激烈的市场竞争导致闪存产品的价格下降，从而影响了本季度的闪存销售额。”iSuppli同时还预计 ，存储芯片市场这种低迷趋势还将持续到2005年。
    
     尽管从目前现货市场闪存芯片的行情来看，NAND芯片表现比较“得力”，1～4GB NAND闪存需求相对旺盛，价格坚挺，但比较去年年底和今年年初NAND的火热形势，有经销商表示：“不具有可比性。”由此可见，NAND芯片现货市场表现已经大不如前。
    
     而就目前主流的1GB闪存芯片，近日有外电称：2005年第二季度前，1GB NAND flash价格可能会大跌，达到每片3～4美元的价格，而现在NAND方面的50％的力量投入在90nm 2GB芯片的生产，国际报价为8~9美金，也就是1GB闪存芯片跌幅将达到50％以上！
    
     据业内人士分析，造成这种状况的主要原因在于：以前，Renesas Technology、三星、SanDisk和东芝是仅有的几家NAND flash生产商。到了2004年年初，NAND flash的生产厂商增加到8家，包括PSC，Micron Technology、STMicroelectronics、现代和英飞凌。竞争的激烈是造成产品价格下降的直接原因。另外，现在大部分供应商都将很大部分力放在90nm 2GB芯片的生产上，由此给1GB NAND造成的压力也导致其价格下挫。
    
     加剧闪存市场明年形式严峻的是Intel的动作。据悉，Intel计划明年通过发布新产品系列的方式，重新调整其在主流闪存市场上的策略。而分析师称，Intel的这种做法会近一步破坏已经恶化的闪存价格。Intel在两年前制定目标，要成为手机用闪存的顶级供应商。如今，该公司的管理人员已经把这个目标提升到要在明年成为闪存的顶级供应商，这意味着Intel将会极具侵略性的手段冲击闪存市场，例如，将其目前的高端闪存的部分功能抽离，推出迎合其低成本价目标的新产品。
    
     从以上情况分析来看，随着闪存厂商投入力量的进一步加大，明年上半年闪存市场将有大的改变，激烈的竞争将使行业整体利润遭到压缩。而另外一方面，随着1GB闪存芯片价格的雪崩（下降50%以上），128MB闪存将很难找到市场，或者退出，或者进入低端产品市场。