需求窜高 闪存、内存均短缺

需求窜高 闪存、内存均短缺

     (华强电子世界网独家报道) 受三星产能转移影响，近期存储芯片市场频频出现短缺现象，先是内存供应吃紧导致现货价格频频上扬，接着业内又传出闪存需求窜高，Flash 芯片将短缺的声音。存储芯片市场频频显示出的乐观需求形势，让不少现货经销商都开始乐观看待第三季度时闪存、内存的出货表现。
    
     由于多媒体消费装置引爆闪存flash 需求激增，三星已表示未来将造成内存短缺。最新现货行情显示，三星电子自4月起转进NAND Flash产能后，此举已造成三星DRAM供给量骤降15～20％，6月起DRAM市场逐步显现供货吃紧状态，其现货价格也再近一周内出现1%至3%的小涨幅度。
    
     由于终端市场多媒体装置和3G手机对内存的需求一直呈同步攀升状，数字内容和新的应用，如数码相机、录像机、MP3音乐播放机、电视、甚至GPS，均在推动手机使用内存的需求，业者因此预计，DRAM需求紧缺现象将至少持续至第三季度。而且，供应吃紧很可能导致现货经销商在未来一个季度内难拿到足够的货源。
    
     而另一供应吃紧的NAND闪存市场，记者了解到，虽然巨大的商机吸引了大批内存厂商快速进行产能转型，但由于内存厂商无法快速将产能转变为新型的 flash技术，业内人士因此指出，目前可能面临的情形就是导致缺货。
    
     据悉，三星日前已宣布70奈米制程flash将投产，而且目前正在研发60奈米技术。但对于投产的供应量，业内人士认为，恐难满足市场的庞大需求量。因此，对于未来可能发生的缺货事件，各市场人士应做好心理准备。