三星心系FLASH 闪存后市看俏

三星心系FLASH 闪存后市看俏

     (华强电子世界网独家报道) 闪存价格居高不下，加上圣诞节前消费旺季，因此目前Flash相关厂商对第四季度营收维持高水位皆表乐观看待。正是因为闪存需求比重不断攀升，需求持续吃紧以致出现供不应求现象，三星电子近期开始不断加大对闪存市场的投资。业者因此预测，延续11月NAND闪存市场乐观的出货表现，明年NAND闪存后市也应不看淡。
    
     集邦科技（DRAMeXchange）表示，Nand Flash需求相对活络，尽管合约价与现货价仍一个向下走、一个向上走，但目前终端市场对于圣诞节Nand Flash需求仍抱持乐观态度。业者估计，Nand Flash需求至少11月底到12月初，都会相当强劲。
    
     而正因如此，在MP3、随身碟、手机、数字相机等消费性电子所掀起的一阵快闪风潮下，三星开始逐渐看好NAND闪存的发展前景。日前三星在法说会上宣示，预计在2008年时，把32GB NAND型Flash价格压到200美元以下，充分显示三星欲以闪存掀起一股储存媒介的革命。
    
     由于三星一贯的策略便是以降价刺激买气，再利用微缩制程、大尺寸晶圆投产，进一步以经济效益逼退对手、拉开距离、提高容量，然后再一次以降价刺激买气；由此看来，2008年将32GB推为主流的目标，并非空穴来风，且三星向来便以每年加倍快闪容量的优秀制程能力自傲。
    
     因此，半导体设备业内人士日前传出三星已提早在10月加码采购闪存生产设备，积极扩产位于南韩器兴的Line 14与Line 9的闪存生产线，应有一定的可信度。再加上三星日前才表示，全球DRAM景气恐怕要到2006年下半才能回温，以上种种迹象显示，三星近来押注快闪获利的企图明确，NAND闪存后市将不看淡。