节前两天买气剧减 闪存内存价格皆变

     (华强电子世界网独家报道) 随着十一国庆长假将近，在各经销商增加库存的动作下，9月20日至25日期间市场买气相当不错，包括闪存、内存等多种产品的价格都持续走扬，但自进入本周开始，现货市场各经销商的补货动作明显减弱，闪存、内存价格因此大做调整。业者指出，国庆长假期间市场对闪存和内存的需求恐将减弱，届时DRAM及Flash的现货价格也可能因此下调。
    
     据了解9月20日前后，现货市场已经明显看到提高库存的买盘，包括DRAM及Flash的买气都相当强。由于补货力道强劲，北京、深圳两地20日前后的报价皆呈现逐日上扬趋势。其中三星256MB DDR400模块报价高达410元，金士顿则是375元。
    
     NAND Flash部分也因感受到市场对消费电子需求强力成长，20日前后现货价格大涨，目前2G产品单价已经来到22.3美元，1G反弹到11.17美元，部分涨幅高达30%。
    
     但尽管DRAM和Flash市场因买气回升而被大多业内人士所看好，但国庆长假开始后，部分工厂停工，将使需求DRAM和Flash直接减缓，因此这一价格压力作用在DRAM和Flash身上，将直接影响其价位下探。
    
     据悉，长假前两天时，现货市场DRAM和Flash的买气已出现减弱的迹象。除部分低密度闪存因供需失衡而回温外，1Gb以下闪存仍因价格战激烈而出现轻微下滑趋势。DDR市场在因受到节日气氛所影响，近两天内市场贸易活动表现已放慢很多，成交量略为偏低。由于通路商、经销商已不热衷于接前两三天的买卖活动，因此观望态度直接导致DDR价格下滑，9月28日深圳现货主流品牌Hynix DDR256M 266/333/400尾市分别收于￥288/￥298/￥320。
    
     因现货需求仍旧浑沌未明，经销商也表示，由于目前现货市场DRAM和Flash的供给并未大幅增加，因此待假期结束后，市场回到正常状况，DRAM和Flash的价格也将因此再做合理调整，预计受节前买气剧减而出现的闪存内存价格变化将不会持续很长时间。
    
    
    
    

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