三星“芯”动 全球行动
来源:华强电子世界网 作者: 时间:2003-10-23 17:23
(华强电子世界网独家报道) 9月初三星电子表示,将投资5,055亿韩元(约4.324亿美元)于内存芯片生产线,以提高随机动态存取芯片(DRAM)及闪存芯片的产量。一个月之后,三星再次计划 2003年投资28.7亿美元,将其内存销售额提高20%达100亿美元,其中手机及数码相机使用的flash(闪存)将是其增产主要项目。
三星视闪存为新的增长动力,扩大闪存生产应有助于减轻DRAM及其他产品毛利下滑的负面冲击。措施调整的同时,英特尔也是不甘示弱,计划调降闪存售价。
两大巨头频频动作,最终得利的是一些大型签约客户。就目前而言,三星的NAND闪存在供给方面一直都是严格的合约配给制,在供货源方面,大型客户的供货渠道相当稳定。而英特尔计划调降闪存售价时,不少大型客户都重签了第四季度的合约。
由于目前全球只有三星、东芝二家半导体厂量产NAND芯片,虽然二家业者均扩大投片量,十月起产出规模约有15%至20%的增长,但第四季因为圣诞节传统旺季的到来,闪存虽然价格上扬,但市场需求有增无减。而三星此时在生产闪存的任何一个计划调整,都将吸引全球的焦点。
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