三星“芯”动 全球行动

     (华强电子世界网独家报道) 9月初三星电子表示，将投资5,055亿韩元(约4.324亿美元)于内存芯片生产线，以提高随机动态存取芯片（DRAM）及闪存芯片的产量。一个月之后，三星再次计划 2003年投资28.7亿美元，将其内存销售额提高20%达100亿美元，其中手机及数码相机使用的flash(闪存)将是其增产主要项目。
    
     三星视闪存为新的增长动力，扩大闪存生产应有助于减轻DRAM及其他产品毛利下滑的负面冲击。措施调整的同时，英特尔也是不甘示弱，计划调降闪存售价。
    
     两大巨头频频动作，最终得利的是一些大型签约客户。就目前而言，三星的NAND闪存在供给方面一直都是严格的合约配给制，在供货源方面，大型客户的供货渠道相当稳定。而英特尔计划调降闪存售价时，不少大型客户都重签了第四季度的合约。
    
     由于目前全球只有三星、东芝二家半导体厂量产NAND芯片，虽然二家业者均扩大投片量，十月起产出规模约有15%至20%的增长，但第四季因为圣诞节传统旺季的到来，闪存虽然价格上扬，但市场需求有增无减。而三星此时在生产闪存的任何一个计划调整，都将吸引全球的焦点。