三星试制成功64Kbit MRAM

三星试制成功64Kbit MRAM

     (华强电子世界网讯) 在2002年12月9日召开的半导体制造技术国际学会“2002 IEDM（2002年IEEE国际电子元件会议）”上，韩国三星电子和三星尖端技术研究院（SAIT）发表了利用0.24μm规格CMOS技术生产的64Kbit MRAM的试制产品。此次试制的芯片尽管容量较小，只有64Kbit，但却集成了存储器所需的所有功能。工作电压仅+2.0V。存储单元采用的是由一个晶体管和一个TMR元件组成的结构，存储单元面积为2.06μm2。尽管没有公布该芯片的随机存取时间，但据称在+3.0V的电压下工作时，可达40ns左右。