NOR芯片能否抵挡NAND芯片强势?
来源:华强电子世界网 作者: 时间:2004-03-16 17:12
(华强电子世界网独家报道) 目前市场上闪存芯片主要是NAND和NOR的对峙。虽然从供应商方面来看,以三星和东芝为代表的NAND芯片和以FASL和Intel为代表的NOR芯片斗得如火如荼,但记者3月15日走访现货市场时,代理各类闪存芯片的经销商郭先生告诉记者,从出货来看,今年NAND出货明显增加,但两者的差距还不是很大。
IT市场调研公司iSuppli指出,自从去年第三季度开始,NAND派闪存的市场份额便开始迅速膨胀,发展速度超过了NOR闪存,并把三星电子和东芝分别推倒了闪存市场第一和第三的位置。
NAND的增长由消费类、计算和通信类应用的市场推动。iSuppli认为NAND闪存市场仍处于形成阶段。数据存储是NAND的重大应用领域,由于现在预期的应用增加,NAND闪存市场还会有巨大的增长。这些应用包括数码相机、MP3播放器、PDA、USB/Pen驱动器、闪存存储卡和带有存储卡插槽的手机。
而与NAND相比,近年来NOR闪存由于缺乏关键的应用市场,销售收入增长缓慢。在数字相机和USB存储设备的的市场中,NAND芯片成功的战胜了NOR芯片。有消息称:NAND闪存制造商如三星电子和东芝公司开始利用他们低价格和大容量的优势开始进军移动电话市场。
随着融和了照相机和MP3功能的手机的出现,这些手机需要高度集成的存储,NAND闪存在该市场开始扩大是极有可能的。
面对NAND如此强大的攻势,NOR能否抵挡?据悉,FASL和Intel这两家NOR派闪存制造商打算在今年利用90纳米工艺通过提高芯片的集成度。他们已准备好开始生产512Mb,1Gb甚至更大容量的闪存。
在闪存芯片市场中,NAND芯片取代NOR芯片其实已经是一种趋势。郭先生告诉记者:“NAND芯片市场目前还是处于形成阶段,要完全取代NOR,恐怕还需要一段时间。这中间NOR芯片要与NAND竞争,价格可能会下调。”
IDC的一位分析人士指出:“随着英特尔和FASL都提出了在未来2年-3年的时间里实现生产3Gb和5Gb的NOR闪存的路线图,这两个阵营正面的交锋很可能还要持续一段时间。”
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