IBM发布应变硅新技术

IBM发布应变硅新技术

     (华强电子世界网讯) 近日，IBM的研究人员已经发现在未来几年能制造出速度更快、耗能更少的晶体管的方法。该公司设法将应变硅和硅晶绝缘体集成进同一个晶片，应变硅可提高电子迁移，或电子通过硅传播的速度。而硅晶绝缘体则可减少泄露，这是目前芯片设计师们面临的一个主要问题。采用这种设计的芯片将在今年晚些时候正式面世，它将可以把晶体管的性能提高20%至30%。IBM本周宣布，该公司已在实验室取得技术性突破，并将于12月在华盛顿举办的国际电子设备会议上正式推出这项技术。
    
     自从进入21世纪以来，为了解决功耗与性能之间越来越突出的矛盾，芯片设计师们不得不绞尽脑汁想出各种方法。目前市场上的芯片包括多达2.5亿种晶体管，因为有摩尔定律，这个数字还在增加。
    
    　　IBM在硅晶绝缘体技术方面居领先地位。尽管应变硅理念非常吸引人，但嵌入应变硅技术很复杂。英特尔首款采用90纳米制造工艺的新应变硅芯片就经过了1600至1700道工序。目前AMD在Opteron处理器中已采用了这种技术。英特尔今年晚些时候也将在Prescott和Dothan芯片中采用应变硅技术。