英特尔建成一条65纳米SRAM内存芯片生产线

英特尔建成一条65纳米SRAM内存芯片生产线

     (华强电子世界网讯） 11月24日消息，据渠道时报（Channel Times）报道，英特尔已经建成一条使用65纳米生产工艺的全功能SRAM内存芯片生产线。
    
     65纳米生产工艺是英特尔下一代高产量的生产工艺。这条生产线的建成将使英特尔能够按计划在2005年使用300毫米晶圆进行生产时采用这种生产工艺。
    
     英特尔高级副总裁兼技术和生产事业部总经理Sunlin Chou称，这个成就使英特尔65纳米技术进入快速发展的道路，将英特尔已经有15年记录的每两年升级到下一代新工艺的历史继续延续下去。事实上，从我们披露采用90纳米生产工艺到现在采用65纳米生产工艺只用了20个月的时间。90纳米生产工艺现在正在升级。
    
     这篇报告称，65纳米生产工艺包括高性能和低耗能晶体管、第二代版本英特尔的拉伸硅（strained silicon）技术、铜线连接和低介电系数材料。
    
     这篇报道没有说英特尔已经生产出了哪一种规格的SRAM内存电路。