英特尔09年推出三闸晶体管拟降低功率耗损

英特尔09年推出三闸晶体管拟降低功率耗损

     (华强电子世界网讯) 据海外媒体报道，英特尔将于2009年采用32纳米技术节点推出三闸晶体管(trigate transistors)。采用这种新型的3D晶体管结构，英特尔希望实现显著的功率节省及性能改进目标。
    
    　　据英特尔组件研究总监Mike Mayber指出，该公司在新晶体管内成功整合了高K介电质、金属闸电极和应变硅。
    
    　　该晶体管消耗的功率明显低于目前的平面型晶体管。据Mayberry表示，三闸晶体管实现更好的切断电流(off-current)，因此IC将耗费更少的泄漏功率。高K值金属闸也减少功率耗损，同时实现更快速度。
    
    　　Mayberry指出，与最新的65纳米晶体管相较，新型晶体管速度将提升45%，切断电流减少50%。采用新电晶体的处理器以常速消耗35%的总体功率。
    
    　　英特尔计划采用这种晶体管结构作为45纳米节点以上未来微处理器的基本建构模块，这意味着即将到来的65纳米和45纳米节点将以常规方式实现。英特尔预计2009年量产32纳米组件，2011年生产22纳米组件。