英特尔宣布量产65纳米多层单元NOR闪存芯片

英特尔宣布量产65纳米多层单元NOR闪存芯片

     (华强电子世界网讯) 摘要：英特尔日前宣布将率先在业界量产采用65纳米工艺流程生产的多层单元NOR闪存芯片，其中包括用于手机的65纳米1GB NOR闪存芯片。
    
     据外电报道，英特尔日前宣布将率先在业界量产采用65纳米工艺流程生产的多层单元NOR闪存芯片，其中包括用于手机的65纳米1GB NOR闪存芯片。英特尔称，这些新产品均基于其StrataFlash Cellular Memory (M18)架构，可向下与其90纳米闪存芯片兼容，从而确保手机原始设备制造商可以方便地进行产品移植。
    
    　　英特尔称，1GB多层单元NOR闪存主要应用于多媒体手机，如百万像素拍照手机、可播放视频的手机以及具备高速数据传输功能的手机等。英特尔闪存产品集团副总裁兼总经理Darin Billerbeck说:“手机配置1GB容量的NOR闪存后，其存储容量扩大了近一倍，使用这种闪存芯片还使生产更轻更薄的手机成为可能。大容量和机身轻巧是当前手机用户最为青睐的手机两大核心元素。”
    
    　　英特尔称，计划于明年推出采用65纳米工艺流程生产的容量分别为512MB、256MB和128MB的NOR闪存芯片。