台积电公开挺E-Beam！ 孙元成：EUV只能撑1~2世代台积电规划2009年底推出32奈米制程技术
面临摩尔定律进入22奈米制程，浸润式显影曝光技术已达极限。台积电首次公开表示，不论浸润式显影导入双重曝光或深紫外光(EUV)技术，未来顶多只能再维持1~2个制程世代，多重电子束(Multiple E-beam Direct Write)将是不可或缺解决方案，且能彻底解决光罩问题，这是台积电技术论坛首次公开点出E-Beam未来性将比EUV强。台积电研发副总孙元成表示，台积电共计200多人研发团队正全力冲刺32奈米制程世代，预计2009年第3季推出，同时22奈米制程也正进行前瞻研究。
浸润式显影双重曝光已被半导体设备业者视为延续193i生命的重要过度性技术，接下来进入22奈米制程，深紫外光则是目前枱面上设备商力拱的解决方案。不过，由于EUV的光源电能等问题让其生产力很难提升至每小时100片晶圆，包括先前的支持者英特尔(Intel)近期也对EUV效能表达忧心。台积电在31日年度技术论坛中，更首次明白投下E-Beam一票，认为EUV顶多只能撑1~2个世代，未来需要更强大的替代方案。
孙元成表示，EUV生产力要提升至每小时100片晶圆才能达到生产效益，但难度太高，即使EUV最后开发成功也只能再将摩尔定律延续1~2个世代。他认为，45奈米制程之后E-Beam解决方案是不可或缺的。孙元成分析，E-beam虽然于起步的阶段，但1小时生产力已可达30片晶圆，能透过多重写入电子束方式解决生产效率问题，且根本不需光罩。目前台积电正与设备商共同研发中。这是台积电首次在EUV及E-Beam之间，公开表态选边站。
孙元成表示，过去5~6年间台积电在45奈米制程浸润式显影与设备业者合作奠定了许多技术基础，共计拥有25项专利，研发部门有200多人全力投注32奈米制程开发，同时进行22奈米制程前瞻研究。根据台积电技术蓝图，32奈米制程世代最快2009年第4季推出。而台积电2007年9月45奈米制程技术便进入量产，同时规划45奈米GS制程于2008年5月试产，并拟推出半世代40奈米制程技术。
孙元成说，过去台积电90奈米制程完整光谱约历时2年，到了65奈米制程世代，缩短为1~1.5年，45奈米制程却在短短半年内便相继推出嵌入式记忆体(embeded memory)及射频制程(RF)等制程方案，台积电制程速度及效率愈走愈快。孙元成举65奈米制程为例，已推出针对手机单晶片市场的65奈米低功耗RF制程，以及针对绘图晶片市场的65奈米低功耗eDRAM制程，其半世代55奈米制程良率也与65奈米制程不相上下。
浸润式显影双重曝光已被半导体设备业者视为延续193i生命的重要过度性技术，接下来进入22奈米制程，深紫外光则是目前枱面上设备商力拱的解决方案。不过，由于EUV的光源电能等问题让其生产力很难提升至每小时100片晶圆，包括先前的支持者英特尔(Intel)近期也对EUV效能表达忧心。台积电在31日年度技术论坛中，更首次明白投下E-Beam一票，认为EUV顶多只能撑1~2个世代，未来需要更强大的替代方案。
孙元成表示，EUV生产力要提升至每小时100片晶圆才能达到生产效益，但难度太高，即使EUV最后开发成功也只能再将摩尔定律延续1~2个世代。他认为，45奈米制程之后E-Beam解决方案是不可或缺的。孙元成分析，E-beam虽然于起步的阶段，但1小时生产力已可达30片晶圆，能透过多重写入电子束方式解决生产效率问题，且根本不需光罩。目前台积电正与设备商共同研发中。这是台积电首次在EUV及E-Beam之间，公开表态选边站。
孙元成表示，过去5~6年间台积电在45奈米制程浸润式显影与设备业者合作奠定了许多技术基础，共计拥有25项专利，研发部门有200多人全力投注32奈米制程开发，同时进行22奈米制程前瞻研究。根据台积电技术蓝图，32奈米制程世代最快2009年第4季推出。而台积电2007年9月45奈米制程技术便进入量产，同时规划45奈米GS制程于2008年5月试产，并拟推出半世代40奈米制程技术。
孙元成说，过去台积电90奈米制程完整光谱约历时2年，到了65奈米制程世代，缩短为1~1.5年，45奈米制程却在短短半年内便相继推出嵌入式记忆体(embeded memory)及射频制程(RF)等制程方案，台积电制程速度及效率愈走愈快。孙元成举65奈米制程为例，已推出针对手机单晶片市场的65奈米低功耗RF制程，以及针对绘图晶片市场的65奈米低功耗eDRAM制程，其半世代55奈米制程良率也与65奈米制程不相上下。