近几周单日最大涨幅 DRAM大涨8%
来源:联合新闻网 作者: 时间:2007-12-05 17:50
DRAM价格跌近厂商变动成本,通路商及交易商备货意愿增强,激励昨日DDRⅡ现货价反弹,主流规格512MB午盘一度大涨8%,来到0.88美元,创近几周单日最大涨幅。
DRAM现货价反弹,昨天南亚科(2408)、华亚科(3474)、力晶(5346)、茂德(5387)分别下跌0.25元、0.5元、0.2元及0.21元,分别收在17.65元、27.5元、12.35元及8.42元。
业界表示,一些以现货为主的DRAM厂,月初期间停止在现货市场放货,激励价格得以向上反弹。但合约价仍持续向下走跌,南科、茂德等以合约市场为主的厂商,第四季亏损恐会再扩大。
以现货为主的力晶表示,价格反弹,代表现景气已开始要逐渐往上走,目前还须观察厂商库存去化的程度,可确定的是,到明年首季末、第二季初,DRAM价格将会回到一个较合理的行情。
集邦科技表示,以DRAM价格每次跌破变动成本就会反弹的历史经验来看,DRAM价格触底反弹可以期待,预期本周DDRⅡ512Mb eTT颗粒价格将会持平或是维持小幅上扬的价格趋势。
根据集邦的观察,这次DDRⅡ跌价是从去年中的7.0美元跌至近期最低0.77美元的,本周则反弹至0.82美元。以市场面来分析,国际大厂近期内减产是DRAM价格上扬的主因。
集邦指出,当价格低于变动成本,价格就会反弹,如1998年第二季,DRAM价格曾跌至0.8美元左右,不过,第三季就回到2.0美元;同样情形也发生在2001年11月,当时主流颗粒SDRAM 128Mb 133跌落到0.8美元,但也随即在12月时拉回到2.42美元。
集邦说,综观前两次的价格变化,都是国际大厂率先减产,寄望市场供需平衡让可止跌回升。
上一篇:10月份全球半导体销售额增长5%
下一篇:半导体设备销售 明年减1.5%