相变化内存

     相变化内存（PRAM）与一般闪存同是非挥发性内存（Non-volatile），但不同之处在于数据储存与读取原理。相变化记忆体操作原理与光盘片非常相似，都是利用所谓的硫化合物如锗（Ge）、锑（Sb）、碲（Te）等作为核心，透过热能的转变，让材料在结晶状态与非结晶状态间不停的转换。
    
     在光盘系统中是利用雷射光来提供热能来源，藉由结晶与否状态对于光的反射率不同，来分辨所纪录的内容为何，在相变化内存中主要是透过电流，透过加热电极来提供结晶状态改变所需要的热能。此外，在讯号读出的方式上，相变化内存也与光盘系统截然不同，相变化记忆体操作是利用结晶与否状态的电流导通阻值的不同，来纪录数字数据一与○数据，并由不同组合读出不同数据内容。
    
     目前相变化内存研发阵容相对规模较小，但英特尔、意法半导体、IBM都是此一技术最大支持者，三星电子也于今年加入，所以业界认为相变化内存可望在大厂支持下，成为次世代内存主流规格之一。