NAND供应与需求同步攀高
碍于国际大厂制程转换不顺，加上三星八月突发性停电，第三季全球NAND闪存位产出成长率仅三成，报价小涨。展望第四季，新制程产能大举开出，位成长率达四五％、为今年最高，另外耶诞采购效应将带动需求面上扬，因此市况与报价均趋向稳定。
集邦昨（六）日公布第三季全球NAND产业报告，品牌厂商第三季NAND营收总额逼近三十九亿美元，比第二季成长三六．八％，而单季位产出成长率为三成，就个别厂商来说，三星稳坐龙头宝座，东芝居次，至于海力士、美光和英特尔营收也都有显著的成长。
虽然厂商在第三季有提高NAND的投片量及MLC的生产比重，但由于部份厂商五○与六○奈米新制程仍处在调整期阶段，因此整体的位出货量，仅比第二季成长三成，反观需求面，第三季为传统NAND下游客户的备货旺季，加上三星八月初突发的停电事件影响，造成市场供应吃紧，而第三季均价上涨约五％以上。
个别厂商部份，三星的器兴(Giheung)厂区八月初停电，使产出量稍微受到影响，加上五○奈米新制程技术仍处于调整期，因此单位元出货量仅较第二季成长约三％。亚军的东芝第三季因增加Fab三的十二吋厂产出，加上制程提升，因此第三季市占与前季相近。
海力士将十二吋的M十厂投入NAND产出，因此第三季位成长率高达九二％，但也因产出比例勇冠同业，因此祭出促销策略，导致第三季均价小跌六％。英特尔与美光合资的IM Flash在第三季受惠于NAND价格持续上涨，与投片量及制程技术提升，带动美光与英特尔的NAND营收分别都比第二季大幅成长。
意法半导体方面，在第三季来自MCP（多芯片封装技术）的相关应用业务仍持续增加，另外今年底前，意法也计划与英特尔合资成立Numonyx来生产Flash内存的产品。瑞萨自今年起将会持续降低自有AG-AND闪存的生产比重，并转由合作伙伴力晶为其代工。
展望第四季，受美次级房贷风暴拖累，市场买气不如预期，NAND价格在九至十月间出现超过二成跌幅，但因价格下滑近期买气已略有加温迹象，预计十一月中后耶诞买气将陆续出炉。
至于供给面部分，三星与东芝等在七八月遭遇五○奈米转换不顺问题已解决，加上海力士六○奈米与IM Flash五○奈米新产能开出，因此第四季位产出成长率将达四五％，而第四季虽会小幅供给过剩，但情况不严重，因此报价将趋向稳定，至耶诞后才会出现显著跌幅。
集邦昨（六）日公布第三季全球NAND产业报告，品牌厂商第三季NAND营收总额逼近三十九亿美元，比第二季成长三六．八％，而单季位产出成长率为三成，就个别厂商来说，三星稳坐龙头宝座，东芝居次，至于海力士、美光和英特尔营收也都有显著的成长。
虽然厂商在第三季有提高NAND的投片量及MLC的生产比重，但由于部份厂商五○与六○奈米新制程仍处在调整期阶段，因此整体的位出货量，仅比第二季成长三成，反观需求面，第三季为传统NAND下游客户的备货旺季，加上三星八月初突发的停电事件影响，造成市场供应吃紧，而第三季均价上涨约五％以上。
个别厂商部份，三星的器兴(Giheung)厂区八月初停电，使产出量稍微受到影响，加上五○奈米新制程技术仍处于调整期，因此单位元出货量仅较第二季成长约三％。亚军的东芝第三季因增加Fab三的十二吋厂产出，加上制程提升，因此第三季市占与前季相近。
海力士将十二吋的M十厂投入NAND产出，因此第三季位成长率高达九二％，但也因产出比例勇冠同业，因此祭出促销策略，导致第三季均价小跌六％。英特尔与美光合资的IM Flash在第三季受惠于NAND价格持续上涨，与投片量及制程技术提升，带动美光与英特尔的NAND营收分别都比第二季大幅成长。
意法半导体方面，在第三季来自MCP（多芯片封装技术）的相关应用业务仍持续增加，另外今年底前，意法也计划与英特尔合资成立Numonyx来生产Flash内存的产品。瑞萨自今年起将会持续降低自有AG-AND闪存的生产比重，并转由合作伙伴力晶为其代工。
展望第四季，受美次级房贷风暴拖累，市场买气不如预期，NAND价格在九至十月间出现超过二成跌幅，但因价格下滑近期买气已略有加温迹象，预计十一月中后耶诞买气将陆续出炉。
至于供给面部分，三星与东芝等在七八月遭遇五○奈米转换不顺问题已解决，加上海力士六○奈米与IM Flash五○奈米新产能开出，因此第四季位产出成长率将达四五％，而第四季虽会小幅供给过剩，但情况不严重，因此报价将趋向稳定，至耶诞后才会出现显著跌幅。