现货涨 DRAM向前冲

来源:中时电子报 作者: 时间:2007-12-29 17:30

     在月底库存压力逐步消化之际,DRAM现货报价全面回升,DDR2 512Mb eTT成功收复○.九美元关卡,DDR2 1Gb eTT价格也来到一.七七美元。在预期DRAM元月行情可望加速回暖,激励DRAM族群携手攀扬;其中现货主力的力晶(5346)、茂德(5387)及模块厂劲永(6145)等股价联袂亮灯涨停,威刚(3260)、宏亿(3079)、商丞(8277)涨幅也达六%。
    
     南亚科等DRAM厂商认为,原本市场保守预估要到明年第一季末,惟OEM客户端库存逐步去化,需求增加,加上当前现货报价反弹,有利元月现货、合约行情加速回暖,DRAM价格提前弹升有望。
    
     市场研究机构最新报告指出,明年DRAM领域的资本支出将从原先推估下滑二○%,拉大为下滑超过三○%,连带牵动整体内存资本支出减少一○%至二○%。这对DRAM市场经历漫长的低迷后,市场供过于求情况可望有所纾缓,至于需求情况相对较符合预期。
    
     目前市场对明年PC市场将有强劲成长动能,共识很高,加上企业换机潮, Vista SP1版本的推出,可望刺激DRAM市场需求增加。此外,明年多家DRAM厂均有降低资本支出的计划,加上DDR2价格疲软不振,加速八吋厂汰换,整体DRAM市场供给成长有限,有助于整体DRAM市况趋稳表现。
    
     分析师认为,由于过年前下游客户不想囤货过年,DRAM报价在农历年前价格都有压力,年后供需的情况会较好,推估DRAM DDR2 512Mb约在○.九美元左右游走。
    
     此外,DRAM现货价跌破台厂现金成本后,制程落后国际大厂,明年缺乏成本优势;DRAM厂营运要转亏为盈,端视成本改善及制程转换比例而定。
    

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