NAND Flash与12寸晶圆产值超过DRAM

来源:电子时报 作者: 时间:2007-05-11 19:39

     2006年第4季以来全球每片12寸晶圆用于生产标准型DRAM所贡献产值,始终大于NAND型闪存( Flash),不过近几个月以来由于标准型DRAM价格持续疲软不振,NAND Flash则持续看好,因而到2007年4月,12寸晶圆上投产DRAM产值已低于NAND Flash,部分DRAM厂也开始思考,是否应多调整一些产能至NAND Flash上。
    
     DRAM厂表示,全球标准型DRAM颗粒售价去年第4季还相当不错,甚至一直到2007年第1季上半,DRAM无论合约价或现货价均还有相对亮丽表现,不过合约价自第1季下半开始下跌,一直到5月为止也未见好转迹象,顶多仅能用跌势趋缓看待。
    
     但反观NAND Flash价格走势却完全与DRAM大异其趣,2006年第4季对于NAND Flash而言可说最为惨不忍睹1季,所有生产NAND Flash厂商,皆苦不堪言,但到了2007年第1季状态开始逐渐好转,大多市场分析师认为,虽说2007下半NAND Flash价格走势不见得一定大红大紫,但价格铁定会持稳健或上扬。
    
     因为标准型DRAM与NAND Flash价格走势全然不同,也使得这两项产品同样采用12寸晶圆投片,所产生出的每片晶圆产值大不相同,根据inSpectrum所公布数据显示,自2006年10月开始算起一直到2006年12月,采用70奈米制程技术或80奈米制程技术生产512Mb DDRII的所创造出产值,大约维持在4,100~4,800美元左右。
    
     不过反观采用60奈米制程技术生产8Gb的MLC的NAND Flash,在2006年10月及11月产值维持在4,000美元以上,但到了12月却骤降至2,800美元左右,而虽说到了2007年1月及2月时,无论是标准型DRAM或NANDFlash,投产12寸晶圆时所创造出产值皆呈现下滑趋势,但到了3月起NAND Flash已见反弹回升,反倒是DRAM依然是无力走弱,因此4月NAND Flash产值正式超越标准型DRAM。
    
     DRAM厂表示,正因为标准型DRAM产值已低于NAND Flash,使得他们已开始思考未来产能调配问题,是否应将产能再多调拨至NAND Flash,而一旦如此,依照产能自投产到产出约2个月左右计算,至2007年第3季将可见到标准型DRAM产出量开始出现减缓,届时将有助于DRAM价格回稳。
    

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