NAND Flash与12寸晶圆产值超过DRAM
2006年第4季以来全球每片12寸晶圆用于生产标准型DRAM所贡献产值，始终大于NAND型闪存( Flash)，不过近几个月以来由于标准型DRAM价格持续疲软不振，NAND Flash则持续看好，因而到2007年4月，12寸晶圆上投产DRAM产值已低于NAND Flash，部分DRAM厂也开始思考，是否应多调整一些产能至NAND Flash上。
DRAM厂表示，全球标准型DRAM颗粒售价去年第4季还相当不错，甚至一直到2007年第1季上半，DRAM无论合约价或现货价均还有相对亮丽表现，不过合约价自第1季下半开始下跌，一直到5月为止也未见好转迹象，顶多仅能用跌势趋缓看待。
但反观NAND Flash价格走势却完全与DRAM大异其趣，2006年第4季对于NAND Flash而言可说最为惨不忍睹1季，所有生产NAND Flash厂商，皆苦不堪言，但到了2007年第1季状态开始逐渐好转，大多市场分析师认为，虽说2007下半NAND Flash价格走势不见得一定大红大紫，但价格铁定会持稳健或上扬。
因为标准型DRAM与NAND Flash价格走势全然不同，也使得这两项产品同样采用12寸晶圆投片，所产生出的每片晶圆产值大不相同，根据inSpectrum所公布数据显示，自2006年10月开始算起一直到2006年12月，采用70奈米制程技术或80奈米制程技术生产512Mb DDRII的所创造出产值，大约维持在4,100~4,800美元左右。
不过反观采用60奈米制程技术生产8Gb的MLC的NAND Flash，在2006年10月及11月产值维持在4,000美元以上，但到了12月却骤降至2,800美元左右，而虽说到了2007年1月及2月时，无论是标准型DRAM或NANDFlash，投产12寸晶圆时所创造出产值皆呈现下滑趋势，但到了3月起NAND Flash已见反弹回升，反倒是DRAM依然是无力走弱，因此4月NAND Flash产值正式超越标准型DRAM。
DRAM厂表示，正因为标准型DRAM产值已低于NAND Flash，使得他们已开始思考未来产能调配问题，是否应将产能再多调拨至NAND Flash，而一旦如此，依照产能自投产到产出约2个月左右计算，至2007年第3季将可见到标准型DRAM产出量开始出现减缓，届时将有助于DRAM价格回稳。
DRAM厂表示，全球标准型DRAM颗粒售价去年第4季还相当不错，甚至一直到2007年第1季上半，DRAM无论合约价或现货价均还有相对亮丽表现，不过合约价自第1季下半开始下跌，一直到5月为止也未见好转迹象，顶多仅能用跌势趋缓看待。
但反观NAND Flash价格走势却完全与DRAM大异其趣，2006年第4季对于NAND Flash而言可说最为惨不忍睹1季，所有生产NAND Flash厂商，皆苦不堪言，但到了2007年第1季状态开始逐渐好转，大多市场分析师认为，虽说2007下半NAND Flash价格走势不见得一定大红大紫，但价格铁定会持稳健或上扬。
因为标准型DRAM与NAND Flash价格走势全然不同，也使得这两项产品同样采用12寸晶圆投片，所产生出的每片晶圆产值大不相同，根据inSpectrum所公布数据显示，自2006年10月开始算起一直到2006年12月，采用70奈米制程技术或80奈米制程技术生产512Mb DDRII的所创造出产值，大约维持在4,100~4,800美元左右。
不过反观采用60奈米制程技术生产8Gb的MLC的NAND Flash，在2006年10月及11月产值维持在4,000美元以上，但到了12月却骤降至2,800美元左右，而虽说到了2007年1月及2月时，无论是标准型DRAM或NANDFlash，投产12寸晶圆时所创造出产值皆呈现下滑趋势，但到了3月起NAND Flash已见反弹回升，反倒是DRAM依然是无力走弱，因此4月NAND Flash产值正式超越标准型DRAM。
DRAM厂表示，正因为标准型DRAM产值已低于NAND Flash，使得他们已开始思考未来产能调配问题，是否应将产能再多调拨至NAND Flash，而一旦如此，依照产能自投产到产出约2个月左右计算，至2007年第3季将可见到标准型DRAM产出量开始出现减缓，届时将有助于DRAM价格回稳。