联华电子以URAMTM嵌入式DRAM技术产出65纳米客户晶片
纯晶圆专工业界唯一自行开发拥有的嵌入式DRAM解决方案，可赋予系统单晶片产品更高效能，更小尺寸并降低成本
联华电子4日宣布已产出采用URAM技术的65纳米客户产品。URAM是联华电子专利的嵌入式记忆体技术(eDRAM)，与传统嵌入式6T SRAM或外部DRAM相比，URAM技术可赋予晶片更高效能，更低功耗与更小尺寸。此项技术是纯晶圆专工业界唯一自行开发拥有的嵌入式DRAM解决方案，目前已用于生产联华电子90纳米客户产品。
联华电子记忆体开发部门副总梁德海表示，“驱动今日数位经济的尖端产品需要精密的技术解决方案，以满足对更低功耗，更高效能以及更小晶片面积的严格要求。藉由提供比一般6T SRAM减少了高达50%面积的高密度记忆体解决方案，联华电子的URAM技术可有效地满足系统单晶片设计公司在广泛应用产品上的需求，包括储存媒体、通讯产品、绘图与影像系统等。”
About UMC is URAM
URAM具备超高密度，仅为6T SRAM尺寸的1/4到1/5，其Macro area则约为SRAM的1/2到1/3，可使整体晶片面积变小，让晶片设计公司能够在更小的晶片区块内放入更多的功能。客户不论是采用URAM于联华电子标准或低漏电制程上，由于I/O drivers减少，因此能够设计出更高频宽，使得在降低功耗的同时也能提升操作速度。
URAM的逻辑制程相容性，可微缩沟槽单元(trench cell)架构以及与SRAM相似的介面，这些特性使得URAM技术得以完美地与客户设计和现有硅智财做结合。由于URAM是联华电子自行开发的自有技术，因此针对采用此技术的客户设计，联华电子可提供完整而强力的设计支援。
联华电子4日宣布已产出采用URAM技术的65纳米客户产品。URAM是联华电子专利的嵌入式记忆体技术(eDRAM)，与传统嵌入式6T SRAM或外部DRAM相比，URAM技术可赋予晶片更高效能，更低功耗与更小尺寸。此项技术是纯晶圆专工业界唯一自行开发拥有的嵌入式DRAM解决方案，目前已用于生产联华电子90纳米客户产品。
联华电子记忆体开发部门副总梁德海表示，“驱动今日数位经济的尖端产品需要精密的技术解决方案，以满足对更低功耗，更高效能以及更小晶片面积的严格要求。藉由提供比一般6T SRAM减少了高达50%面积的高密度记忆体解决方案，联华电子的URAM技术可有效地满足系统单晶片设计公司在广泛应用产品上的需求，包括储存媒体、通讯产品、绘图与影像系统等。”
About UMC is URAM
URAM具备超高密度，仅为6T SRAM尺寸的1/4到1/5，其Macro area则约为SRAM的1/2到1/3，可使整体晶片面积变小，让晶片设计公司能够在更小的晶片区块内放入更多的功能。客户不论是采用URAM于联华电子标准或低漏电制程上，由于I/O drivers减少，因此能够设计出更高频宽，使得在降低功耗的同时也能提升操作速度。
URAM的逻辑制程相容性，可微缩沟槽单元(trench cell)架构以及与SRAM相似的介面，这些特性使得URAM技术得以完美地与客户设计和现有硅智财做结合。由于URAM是联华电子自行开发的自有技术，因此针对采用此技术的客户设计，联华电子可提供完整而强力的设计支援。