追单拥进 DRAM现货价大涨
来源:联合新闻网 作者: 时间:2009-04-17 19:11
DRAM现货价昨日再度大涨6%,均价站上具指标性的1.2美元,已达韩国三星、台湾力晶(5346)与瑞晶等大厂的现金成本附近,现货价站稳这个关卡,意味着业者已逐步迈入现金流入的状况,营运出现转机。
这已是现货价续三天大涨,累计涨幅逾15%,并创2月上旬来新高。DRAM现货价格大涨,也让市场买气再度回笼。南科(2408)发言人白培霖便透露,昨天客户突然蜂拥而至,好一段时间未曾出现过的「追单」状况再度上演,市况突然活络。
集邦科技(DRAMeXchange)昨晚最新报价,1Gb DDRII有效测试颗粒(eTT)再度劲扬6%,均价为1.2美元;品牌颗粒报价涨幅更胜于有效测试颗粒,涨幅超过7%以上。
白培霖分析,这波市场需求回笼,主要仍在于减产效应及业界担心拿不到货的预期心理,并促成价格大涨。
白培霖说,南科已在本月上旬调涨所有客户合约报价,以目前现货价持续上涨的态势来看,本月下旬合约价仍会继续跟进上涨,预期涨幅在一成以上,伴随减产效应及需求回稳下,今年有机会持续上调。
受惠价格大涨,DRAM族群昨天也强势表态,上游芯片厂力晶、南科(2408)、华亚科(3474)、华邦电(2342),以及下游模块厂威刚(3260)、劲永(6145)等,都以涨停板收市。
集邦科技表示,今年全球DRAM产业资本支出约54亿美元,年减56%,新增产能得以受到控制,伴随业者陆续转进50奈米制程生产,有助大幅降低成本。
DRAM业界表示,中国大陆家电、PC下乡,带动亚太地区内存需求加温,加上国内外DRAM厂持续减产,先前库存又快速消化,导致近期价格上涨,这波涨势可说「天时、地利、人和」,不排除挑战1.5美元。