DDR2 1Gb eTT本周现货价格上扬逾5%

DDR2 1Gb eTT本周现货价格上扬逾5%

    一、DDR2 1Gb eTT本周现货价格上扬逾5%，唯成交反应清淡
    
    DDR2 1Gb eTT现货价格自5月11日的高点1.34美元一路下滑至6月12日的低点1.04美元，跌幅将近22%，6月初开始跌势加快，两周间下跌近13%，甚至逼近了一美元的信心关卡，随着本周海力士与南科传出合约价格将继续上涨，现货颗粒价格翻扬至1.09美元均价，至今上涨约5%左右，但价涨量跌。
    
    现货市场方面，四月份现货颗粒主要供应者力晶与尔必达由于暂缓出货至现货市场中，现货颗粒供应吃紧让五月中旬价格攀升至短期高点1.34美元，但由于其它DRAM厂商趁机释出手上库存并开始低价销售，让现货颗粒价格上攻1.5美元功败垂成，六月初力晶与尔必达亦弃守锁货策略，开始出货至模块厂与经销商，价格急转直下至1.04美元，本周现货颗粒价格虽然反弹向上，但买盘持续观望，成交量无法放大，DRAMeXchange 预估近期现货颗粒的价格将会在1.0-1.2美元区间内盘整。
    
    二、六月下旬DDR2合约价将呈现持平走势，DDR3有机会维持上涨动能
    
    在合约市场方面，自四月开始起涨，DDR2 800Mhz 2GB的合约价格自17美元均价上涨至六月上旬21.5美元，涨幅约26%，但随着现货颗粒不断走跌与部份PC OEM厂商看淡下半年出货，六月上旬的合约价涨幅收敛至4%-6%左右，对于六月下旬的DDR2合约价将难以维持强势上涨格局，预估将呈现持平的价格走势，但值得注意的是DDR3合约价的走势，随着CULV的平台的转进与PC OEM厂的平台转进策略，对于DDR3颗粒的需求将愈日遽增，预期将带动DDR3的合约价格持续上扬,扩大与DDR2的价差。
    
    三、季底效应与淡季因素，NAND Flash价格呈现部份持平与部分回软的走势
    
    自6月初以来NAND Flash市场处于相对稳定的状况，就需求面来看，由于整体消费力道尚未恢复，使下游各项终端产品的销售力道不如以往。
    
    日前Apple推出第三代iPhone，预期6月19日上市后仍将有热销的蜜月期，其它手机大厂3Q09也将趁势推出各种高阶Smart Phones，将使短期来自手机系统客户的需求明显增加。然而，其它NAND Flash的主要应用产品，如记忆卡& UFD等，仍受到淡季效应与不景气的影响，买气并未上升，且目前记忆卡 &UFD 市场未来需求的能见度不高，加上季底效应还要调低库存水位，因此下游客户在采购意愿也变得比较谨慎保守，而多采取观望的态度。
    
    NAND Flash价格经过今年上半年的大幅调涨后，目前多已回到芯片成本以上，对于上游供货商而言，多希望NAND Flash价格能够维持在获利水平之上，但下游客户却又不希望因为原料成本上涨，造成终端产品价格过于昂贵进而抑制整体NAND Flash的应用需求，尤其是对于未来明星产品SSD的普遍应用。
    
    因此，我们预期在季底效应与淡季效应及新产品上市等多空因素的交互影响下，短期内NAND Flash合约价价格将呈现部份持平、部分回软的走势。