Diodes新型双MOSFET组合式器件节省空间却无损性能

Diodes新型双MOSFET组合式器件节省空间却无损性能

     Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件，它采用SO8封装，包含一对互补100V增强式MOSFET，性能可媲美体积更大的独立封装器件。ZXMC10A816适用于H桥电路，应用范围包括直流风扇和逆变器电路、D类放大器输出级以及其他多种48V应用。
    
     Diodes 亚太区技术市场总监梁后权指出：“这个N通道和P通道组合的MOSFET能够代替采用SOT223及DPak (TO252) 封装的同等器件，有助减省电路板空间及元件数目，同时简化栅极驱动电路设计。比方说，SO8充分发挥了节省空间的功能，其占位面积只有31 mm2，仅为两个SOT223 MOSFET的30%。”
    
     最新双器件封装内的N与P通道MOSFET，可在10V栅极电压 (VGS) 下实现极低的栅极电荷，典型导通电阻 (RDS(ON)) 分别为230mΩ 和235mΩ，确保开关及导通损耗保持在最低水平。功率耗散分别为2.4W及2.6W。