三星焦点转向Flash打算全面称霸内存市场
内存产业经历1年冰河期，今年第3季终于春暖花开。更值得注意的是，三星在11月30日晚间宣布，30奈米3-bitMLCNANDFlash开始量产，显示三星关注焦点不再是DRAM，且称霸内存企图心十足。
据台湾媒体报道，DRAM产业原已因供过于求而亏损，去年金融风暴更是雪上加霜，DRAM价格暴跌，DDR21GbeTT最低来到0。59美元，连三星也无可避免陷入亏损，Hynix、尔必达(Elpida)、美光(Micron)极力苦撑，中国台湾业者更陷入严重现金流出，做一颗赔一颗的窘况，只能大幅减产以止血。
德厂奇梦达(Qimonda)终在今(2009)年初申请破产保护，成为整个产业秩序重整的第一步。
三星从今年第1季扭转亏损步入盈余，开始投注更多精力在技术研发，以拉开与竞争对手的差距，今年7月宣布40奈米DDR3进入量产，时值第3季传统旺季，DRAM价格一路上扬，DDR3的需求更快速增长，合约价随后更低于DDR2，开启DRAM世代交换。
三星的策略随即奏效，今年第3季获利创下历史新高纪录。
此外，还与海力士携手，让韩厂全球市占率一举过半，甚至越走越高。
然而，三星的野心显然不只是稳坐DRAM龙头，从今年9月宣布开始量产512Mb相位变化随机存取内存芯片(PRAM)，意欲取代NORFlash后，11月30日正式宣布，开始量产30奈米3-bitMLCNANDFlash，称霸内存市场的企图心，不言而喻。