三星焦点转向Flash打算全面称霸内存市场

来源:中国半导体行业协会 作者:—— 时间:2009-12-07 09:26

内存产业经历1年冰河期,今年第3季终于春暖花开。更值得注意的是,三星在11月30日晚间宣布,30奈米3-bitMLCNANDFlash开始量产,显示三星关注焦点不再是DRAM,且称霸内存企图心十足。

  据台湾媒体报道,DRAM产业原已因供过于求而亏损,去年金融风暴更是雪上加霜,DRAM价格暴跌,DDR21GbeTT最低来到0。59美元,连三星也无可避免陷入亏损,Hynix、尔必达(Elpida)、美光(Micron)极力苦撑,中国台湾业者更陷入严重现金流出,做一颗赔一颗的窘况,只能大幅减产以止血。

  德厂奇梦达(Qimonda)终在今(2009)年初申请破产保护,成为整个产业秩序重整的第一步。

  三星从今年第1季扭转亏损步入盈余,开始投注更多精力在技术研发,以拉开与竞争对手的差距,今年7月宣布40奈米DDR3进入量产,时值第3季传统旺季,DRAM价格一路上扬,DDR3的需求更快速增长,合约价随后更低于DDR2,开启DRAM世代交换。

  三星的策略随即奏效,今年第3季获利创下历史新高纪录。

  此外,还与海力士携手,让韩厂全球市占率一举过半,甚至越走越高。

  然而,三星的野心显然不只是稳坐DRAM龙头,从今年9月宣布开始量产512Mb相位变化随机存取内存芯片(PRAM),意欲取代NORFlash后,11月30日正式宣布,开始量产30奈米3-bitMLCNANDFlash,称霸内存市场的企图心,不言而喻。

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