三星首款20nm NAND Flash量产

三星首款20nm NAND Flash量产

三星电子(Samsung)宣布量产首款20纳米级NAND芯片，据表示，全新的32Gb MLC NAND可用在SD记忆卡与嵌入式内存解决方案，为智能手机、高端IT应用与高效能记忆卡应用提供更多开发选择。

相较于30纳米级MLC NAND，三星20纳米MLC NAND的生产率高出50%，在写入速度上，20纳米级8GB以上的SD卡比30纳米NAND速度快30%，并实现了速度等级10 (读取速度每秒20MB，写入速度每秒10MB)。透过应用先进制程、设计与控制器技术，三星也确保新组件拥有与30纳米NAND相同的可靠性。

2009年3月，三星电子首先开始量产30纳米32Gb NAND，现在已可提供使用20纳米32Gb NAND的SD卡样品给客户，并将在今年下半年扩大生产。基于20纳米技术的记忆卡将能提供4GB到64GB的不同密度选择。

三星电子内存部门董事长Soo-In Cho表示，在始量产30纳米NAND一年后，三星便开始提供下一代的20纳米NAND解决方案。全新的20纳米NAND代表了制程跃进，以及重要的效能创新。