韩国DRAM大厂扩产 2012年市场供给将大增

韩国DRAM大厂扩产 2012年市场供给将大增

继三星宣布大增资本支出，DRAM二哥海力士跟进调升2010年的资本支出三分之一，至3.05兆韩元(25.5亿美元)。海力士并未宣布何时投产，但在DRAM前两大厂相继宣布增产，预期一年半后，即2012年市场供给将明显增加。

DRAM龙头三星电子刚于5月17日宣布，该公司2010年资本支出将达到创纪录的18兆韩元(159.3亿美元)，其中有11兆韩元将投资在半导体，5兆韩元将投资在液晶面板上面。

海力士在今（31）日也宣布调高今年资本支出，调幅达三分之一，总金额3.05兆韩元（25.5亿美元），约为三星电子半导体部门11兆韩元资本支出的五分之一。

海力士并未公布资本支出投资内容以及投产时间表；若按照三星规画于明年第三季投产，明年第四季小量产出，后年新增产能量产，加上美光联盟的南科 (2408)、华亚科(3474)今、明年相继提升制程至50、40奈米，以及尔必达、力晶(5346)今明年转进63、40奈米，逐步增加产出，都将使得DRAM市场整体供给逐步增加，最快2012年面临供过于求的危机。