IR 推出SOT-23功率MOSFET产品系列

来源:华强电子网 作者:—— 时间:2010-07-21 10:56

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出全新HEXFET?功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装,具有超低导通电阻 (RDS(on)) ,适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动,以及电信设备等应用。

新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中压硅技术,通过大幅降低90% RDS(on)显著改善了电流处理能力,为客户的特定应用优化了性能及价格。

IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示:“这个全新的SOT-23 MOSFET系列支持从 -30V至100V的宽电压范围,并提供不同水平的 RDS(on) 和栅极电荷 (Qg) ,从而为追求紧凑、高效率及低成本解决方案的客户带来更佳、更广泛的设计选择。”

新器件达到第一级潮湿敏感度 (MSL1) 业界标准,所采用的材料不含铅,并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

产品规格

器件编号

BVDSS

25°C下的最Id

10V下的

典型 / 最大RDS(on)

(m?)

4.5V下的

典型 / 最大RDS(on)

(m?)

典型Qg

IRLML9301TRPBF

-30V

3.6 A

51 / 64

82 / 103

4.8 nC

IRLML9303TRPBF

-30V

2.3 A

135 / 165

220 / 270

2.0 nC

IRLML0030TRPBF

30V

5.2 A

22 / 27

33 / 40

2.6 nC

IRLML2030TRPBF

30V

2.7 A

80 / 100

123 / 154

1.0 nC

IRLML0040TRPBF

40V

3.6 A

44 / 56

62 / 78

2.6 nC

IRLML0060TRPBF

60V

2.7 A

78 / 92

98 / 116

2.5 nC

IRLML2060TRPBF

60V

1.2 A

356 / 460

475 / 620

0.4 nC

IRLML0100TRPBF

100V

1.6 A

178 / 220

190 / 235

2.5 nC

 

 

 

 

 

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