EUV要加大投资强度

来源:SEMI中国 作者:—— 时间:2010-07-29 09:18

半导体 芯片 EUV

未来半导体制造将越来越困难已是不争的事实。巴克莱的C J Muse认为如DRAM制造商正处于关键的成品率挑战阶段,在4x,3x节点时发现了许多问题。目前尽管EUV光刻己经基本就绪(或者还没有),是黄金时刻,然后在芯片制造中其它的工艺技术的挑战也有很多,如两次图形曝光(在NAND,DRAM及logic中),高k金属栅等。由此,在未来的2011-2012年,甚至更长一段时期内必须要加大投资强度。(Citigroup的Tim Arcuri建议要有五年时间,它是在牛/熊市小组座谈会上发表此看法) 。另一位会议发言者Credit Suisse的Satya Kumar补充认为,目前正处于由技术投资向fab产能投资过渡,它指出,器件的尺寸缩小已达3xnm及以下。Muse也同意此观点认为产能扩充仅仅开始。

尽管EUV技术已逐渐映入人们的眼球中,然而另外一些光刻动向正引起业界关注。如KrF光刻机,近期它的突然订单加多,表示新的产能扩充时代真的到来又一标志。2010年TSMC有30台订单,Samsung有15台及intel有10台。它们的供应商ASML,Nikon正努力设法完成供货计划,Muse在报告中称全球在2010年需要60台。另外,据应用材料公司(AMAT) 的报告,全球从现在起有14个新建fab,将增加产能,DRAM>200K/WSPM;NAND> 320K/WSPM;Logic/foundry >350K/WSPM。

对于任何一家公司在先进技术制造与开发方面都有极大的挑战,这一点是无疑的。所以GlobalFoundries的高级副总裁Gregg Bartlett在它的发言中,重申如IBM的公共平台合作方式对于目前是十分必要的。即便Intel的Andy Bryant在它的讲话中也发起在IDM,学校与供应商之间加强合作的呼声。

合作不仅是器件制造商之间的事,Global Foundries的Tom Sonderman建议合作模式中还必须包括设备制造商,如自动化、plug-in集成、及标准化的方法等。

EUV光刻到了哪里?

正如Credit Suisse的Kumar所言,对于每一位带SEMICON标牌的人,已不怀疑EUV会到来。但是也有担心,如掩模检查(尤其是图形尺寸在波长端的检查) 及光源功率,ASML可能己给Gigaphoton下了订单。另外,巴克莱的Muse认为在2010年下半年它的EUV3300设备的订单己多达10台以上。

有关EUV的消息不是来自供应商,而是來自客户。在7月14日的会上Global foundries的Bartlett 透露它的公司将放弃EUV设备的试产过程,而尽快在它的纽约州Malta 正在建设的Fab 8中进入量产实验,估计为2012的下半年,而真正达到很大量产可能在2015年。关于如浸入式及两次图形曝光技术可能用在2x节点应用。它并说EUV可能被用在下一代,16nm中。己经有60种以上在Dresden掩模车间生产的EUV掩模准备待用。

当Ken Rygler在询问华尔街分析师时,不管EUV未来可能在1xnm时准备好,或者根本就上不去,在牛市还是熊市的座谈会上EUV开始逐渐热了起来。巴克莱的CJ Muse表示,EUV的推迟可能是件好事,因为如检测及光源功率等尚未到位,以及也可能有利于付蚀及工艺控制等进一步提高。然而Rygler对此摇头,它表示目前还没有一家说中间掩模(reticle)的检查设备已准备好,这是人所共知的,CJ Muse之后也告诉了SST。但是它认为EUV设备早晚会成功,尤其在DRAM制造中对于某些关键层的光刻应用是有非常迫切的需求。

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