瑞晶明言2010年内将完成向40nm工艺的过渡
尔必达内存的合并结算子公司台湾瑞晶电子（RexchipElectronics）宣布，已成功试制出基于尔必达内存40nm工艺的2GbitDDR3型DRAM。宣布这一消息时，瑞晶电子总经理兼发言人陈正坤明确表示，“2010年底之前将使月产8万枚的生产体制过渡至40nm工艺”。
半导体厂商的订单额在2010年1~3月激增后，4~6月为横盘走势。各DRAM企业的业绩也快速恢复。有调查公司等担心今年秋季会再次出现供应不足的情况。有人指出发生供应不足的主要原因是，荷兰ASMLHOlding N.V.的曝光装置供应不足，以及尔必达内存及瑞晶的产品成品率会随着向40nm工艺过渡而降低。
为了消除这种担忧，瑞晶此次宣布成功试制出了采用40nm工艺的芯片，并将于2010年内完成向40nm工艺的过渡。而且尔必达的广岛工厂目前已开始采用40nm工艺量产DRAM.瑞晶在2010年内过渡至40nm工艺，在集团内部似乎是按照计划实施的，不过尔必达于2010年7月29日发布2010财年第一季度结算报告时公开表示的则是“将在2011年3月底之前完成”.根据瑞晶公布的内容，该公司已引进两台细微化至40nm所需要的ArF液浸曝光装置，2010年11月之前将引进其余设备并在年内完成向40nm工艺的过渡。另外，用于扩大瑞晶量产线的第二阶段投资方面，该公司预定在2010年内得出结论。