清华大学微电子：打造国内RF核心器件产业链

清华大学微电子：打造国内RF核心器件产业链

为促进珠三角分销商与全国IC设计企业进一步合作，2010年10月22日，由中国半导体行业协会和华强电子网联合主办的“第二届中国IC设计企业与分销商交流会”在苏州国际博览中心举行。清华大学微电子研究所付军博士就“锗硅技术在未来的发展”做了发言。

付军博士会上表示，锗硅技术因其硅基工艺的低成本和可与III-V族半导体相媲美的高性能的完美结合，在性价比方面具有明显优势。在民用领域，锗硅技术已在无线通信、无线接入，微波及毫米波，光纤通信，无线传感网，高速模拟和数模混合电路、广播电视以及消费类电子等领域获得了广泛应用。在军用领域，锗硅技术在军用通信、雷达、卫星、导航以及电子对抗等方面也极具应用潜力。

清华大学微电子研究所付军博士

目前，国外锗硅技术和产品发展已历四代，特征尺寸随CMOS Scaling Down，性能逐代提升，目前最高记录的fT和fmax都已超过300GHz锗硅器件和电路产品，应用频段已经从射频、微波发展至毫米波，已经部分取代了IIIV族半导体，噪声、速度和集成度等日益改善。而相比之下，清华大学锗硅技术具备“自主创新、综合全面、产学研相结合”的优势和特色。

锗硅器件技术发展是以锗硅器件技术平台为依托，打造微波核心器件。清华大学微电子所研制的锗硅HBT器件可在低温下应用：该组件的第一中频放大器改用SiGeHBT后，能有效的解决了低温增益下降问题，在全工作温度范围内，增益稳定，基本保持不变。

付军表示，锗硅器件有两个研究重点，一是技术性能的提升，二是应用环境的拓展，二者需紧密相结合。我国长期在RF核心器件方面研究力量投入不足，以及包括锗硅在内的一些敏感技术至今仍在西方国家对华禁运之列，导致我国面临严峻现实，因此，打造国内RF核心器件产业链，摆脱国内核心器件受制于人的局面，是与业界合作共同推动RF核心器件产业发展的关键。(责编：黄军)