日本SEI2英寸GaN衬底新技术有助提升白光LED性能

日本SEI2英寸GaN衬底新技术有助提升白光LED性能

日本住友电工（SEI）表示，已开发出2英寸半极性/非极性GaN衬底材料的批量生产技术，该类型材料用作绿光激光器的衬底以及白光LED衬底。

　　对于白光LED以及蓝紫光或蓝光半导体激光二极管来说，一般会采用GaN衬底的c面作为生长晶面。然而，由于带正电的镓（Ga）和带负电氮（N）的原子结构交替，c面则表现出很强的极性，因而降低了发光体在绿光区域的效率。

　　自2009年开发出绿光半导体激光器之后，SEI一直在研发半极性和非极性GaN衬底（而非极性的c面GaN）的制造技术，它可以提升绿色激光器和白光LED的性能。经过努力开发，制造技术使得极性衬底材料上的极化效应得到有效抑制，从而提升了器件的发光效率。

　　SEI表示，一般地，半极性和非极性GaN衬底是沿着c面晶向采用垂直或者对角切割得到的。然而该方法只针对与相对小的晶体（尺寸仅有几个微米的长方形晶体）；如此小的尺寸是提升高效LED器件产量的主要障碍。

　　为了突破这个瓶颈，SEI引入了HVPE制造技术用于量产2英寸衬底。SEI表示，采用HVPE制造技术生产出的衬底其位错密度的数量级达到105,这与当今广泛使用的c面衬底数值相当。