合约价将发生反弹 DRAM暂无崩盘之忧
来源:华强电子网 作者:—— 时间:2011-02-17 09:15
随著现货价在农历年前率先反弹,2011年2月DRAM合约价亦走向止跌,存储器模块厂表示,近期甫出炉1Gb、2Gb、4Gb产品合约价都呈现止跌迹象,由于目前现货价比合约价至少高出20%,使得DRAM厂在合约价谈判上轻松许多;南亚科则预计,2月 DRAM合约价涨幅目标是至少5%。
存储器模块厂指出,这一波DRAM报价止跌系由现货价当领头羊,预期3月PC厂还会有一波备货潮,DRAM现货价至少还有10~20%上涨空间,2月合约价亦成功被现货价带动止跌。目前2GB DDR3模块合约价约16美元,未来有机会重返20美元大关,若PC厂将内建存储器容量从2GB提升至4GB,价格约40美元,不超过1台PC成本10% 上限,客户升级存储器意愿将大增。
存储器业者表示,这是继2010年第4季DRAM合约价大跌50%之后,合约市场首度飞来春燕,亦是DRAM产业落底讯号,以目前PC客户库存来看,虽称不上是偏低,但已趋于健康水位,预计再过1~2个月库存会逐渐偏低,加上每年3月都是PC厂开始备库存季节,以及英特尔(Intel)Sandy Bridge瑕疵芯片组在第1季末会全数更换重新出货,亦将刺激PC厂积极备货,3月底前补货潮可望延续这一波价格反弹走势。
存储器模块厂认为,DRAM价格3月底前还有10~20%反弹空间,但不希望一举涨太高,1Gb DDR3芯片将反弹至1.3~1.4美元,2Gb DDR3则反弹至2.5~2.6美元水平,都算是合理价位,在此价格区间,DRAM厂可以开始赚钱,模块厂拥有合理库存利益,下游客户亦不至于抗拒,避免重蹈2010年DDR3一下子涨过头,导致PC厂马上又开始大砍存储器容量覆辙。
在供给端方面,存储器业者表示,2011年最特殊现象就是各种存储器如Mobile RAM、NAND Flash、SDRAM互抢产能,间接排挤标准型DRAM供给。其中,智能型手机和平板计算机需求兴起,刺激Mobile RAM和NAND Flash需求,Google与Facebook等云端服务服务器对于存储器需求高达20~30GB,而3D TV亦带动SDRAM需求升温,游戏机热潮则带动绘图卡存储器(GDDR)需求增加。
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