海力士推出30纳米2Gb DDR4 DRAM

海力士推出30纳米2Gb DDR4 DRAM

海力士半导体(Hynix)表示，已开发出符合国际半导体标准会议机构(JEDEC)规格的30纳米2Gb次世代DDR4 DRAM。此外，海力士也开发出使用该新产品的超小型服务器等2GB ECC-SODIMM(Error Check & Correction Small Outline Dual In-Line Memory Module)。

海力士开发的DDR4 DRAM为业界首创在1.2V低电压下，提供2,400Mbps超高速信息传输速度，较DDR3 1,333Mbps产品处理速度提升约80%。DDR4可支持1,600Mbps~3,200Mbps，并可依照制程技术提升速度。

2,400Mbps信息传输速度可透过具有64个I/O的ECC-SODIMM产品，可在1秒内处理相当于4~5部DVD级电影的19.2GB信息。此外，DRAM采用可依照运转温度及命令讯号传输状态减少耗电量的新电路技术，耗电量较1.5V DDR3产品少。

海力士营销本部长金知范表示，本次开发的DDR4产品，可满足客户对亲环境、低耗电、高性能等所有要求，该产品除计算机及服务器市场外，在迅速成长的平板计算机(Tablet PC)市场上，更可提供有竞争力的高附加价值解决方案。

海力士采用次世代制程生产的DDR4 DRAM，将自2012年下半开始量产DDR4 DRAM，海力士期望能以该产品引领DDR4 DRAM市场。

另一方面，外电引用市场调查机构数据指出，DDR4 DRAM比重将从2013年5%成长到2015年的50%，并逐渐成为市场主要产品。此外，DDR3 DRAM比重至2012年达到最高值71%后，2013年及2014年比重将会以68%、49%等节节下降。