2012年起DRAM成本下降速度将变慢
据IHS iSuppli公司的研究，随着DRAM市场过渡到效率更高的低纳米技术，该产业的成本削减及节省步伐从2012年开始将放缓。
虽然最近几个季度DRAM产业在推低光刻节点方面比较积极，但在今年剩余时间内力度将逐渐减弱。今年第一季度该产业的加权平均节点从2010年第四季度的5.3%上升到5.6%，表明推动DRAM技术迁移的力度增大。在此期间，成本降幅从7.8%增大至14.2%，晶圆成本下降情况与光刻工艺的变化相符。
IHS iSuppli公司的研究显示，但从第二季度开始，预计DRAM产业对于光刻工艺迁移的态度将不再那么积极，成本下降速度也将变慢。第二季度 lithography reduction将下降到5.2%，第三季度下降到4.8%，第四季度降到3.7%。相应地，成本削减幅度也将在第二季度下降到12%，第三和第四季度 分别降至9和4%。
确实，DRAM产业正在经历几种转变，例如许多供应商进行战略性调整，摆脱商品类DRAM；建立新的制造与代工联盟；继续向40纳米及更先进的工艺迁移。IHS公司认为，所有这些因素都将对供需关系产生影响，进而影响利润率和供应商的利润。
令 人意外的是，由于上一个繁荣周期利润率大幅上升，第一季度DRAM产业保持盈利状态。上一个繁荣周期始于2009年第二季度，持续到一年以后结束。尽管 DRAM平均销售价格持续下降，但目前的周期符合历史形态，随着需求的起伏变化，芯片价格与DRAM厂商的利润也随之波动