DRAM厂商在制造工艺方面追赶三星

DRAM厂商在制造工艺方面追赶三星

      据IHS公司的DRAM市场报告，随着DRAM价格降到了极低水平，如果厂商不转向效率更高的3x/2x纳米制程，可能面临重大亏损，三星电子等领先的内存供应商已经采用了上述制程。

      三星将保持业内领先地位，到2012年底，它将把将近80%的晶圆生产转向3x纳米或者更先进的制程。海力士想赶上来，但将落后一个季度。尔必达也努力快速追赶，尽管其25纳米产品仍处于早期的验证阶段。

      目前处于落后地位的美光和南亚科技，将在明年底以前不断追赶。这两家公司的主要产品目前都依赖仍然可行的42纳米工艺，该工艺的成本可行性可能只保持到今年，然后必须加快向3x纳米的迁移速度，以保持竞争力。

      由于目前DRAM价格处于低位，力晶等业内仍然在采用4x/5x纳米工艺的其它厂商，收回现金成本的可能性将不断下降。目前31纳米2Gb DDR3封装裸片的单位现金成本是0.68美元，但48纳米工艺就会上升到1.34美元。预计DRAM平均销售价格会进一步下滑，第四季度可能降到1.25美元，所以继续采用4x纳米工艺将面临灾难。

      出路很明显：如果想走在不断下滑的价格前面，厂商必须迅速采取行动并转向更先进的工艺。不幸的是，此举也有副作用：随着业内厂商努力缩小制程，单位晶圆将生产出更多的DRAM，最终会进一步打压价格。

      然而，其它赶超方法很少。美光采取的一种策略，包括让客户基础多样化，以化解一些价格风险。但是，不是所有厂商都能采用这种方法，也不是所有厂商都能涉足多样化市场。由于落后者的利润继续蒸发，这些厂商最终可能被收购甚至被淘汰。