MIM单元结构及通信机理

MIM单元结构及通信机理

       因此，在强场的作用下，施主能级上大量的电子进入绝缘层导带。并在强场的作用下发生雪崩击穿。其伏一安特性的关系可甩式(1)表示。对于绝缘层是Ta zO 的MIM来说，实际工作中制得的MIM的13 PF值不符合PooIe—Frenkel3L~论值而符合肖特基的理论值日s(13 P F=2 13 s)。这种异常Poole—Frenke1效应的出现主要是在Ta zO 膜中仅仅存在中性的陷阱能级， 所以不能显示出Poole—F reakel效应。面且这时的电导率也很低 为了解决这个
问题，必须通过热处理等工艺， 在Ta：O 膜内形成深施主能级，以满足液晶显示的要求。在处理的过程中也能清除部分非平衡缺陷， 提高MIM的稳定性。