富士通0.18微米FRAM可在5伏特电压运作

富士通0.18微米FRAM可在5伏特电压运作

       近来FRAM产品被广泛地应用于测量、工厂自动化应用和各种工业领域，因此资料撷取、高速写入及高耐用性等都是市场需求的关键因素。为因应这些市场需求，富士通两款新产品储存容量(DensityLevel)分别为16Kb和64Kb。这两款晶片均可在3.0～5.5伏特的电压范围内运作，可承受读写周期高达一兆次，并能在85°C的环境下将资料保存长达10年(正常运作温度范围内)。此外，该系列产品运作频率最高可达400kHz。其采用八接脚塑胶SOP封装含标准记忆体接脚配置，可完全与E2PROM晶片相容。
　　
       富士通以丰富的开发与制造经验，让晶片设计与生产端的密切合作发挥最佳的效率和成效。这项优势巩固该公司在市场上的基础，并透过稳定的供应链持续为客户提供高品质产品。为进一步满足市场需求，该公司将持续扩大FRAM产品阵容。除了I2CFRAM系列产品外，也提供具备平行介面的串列周边介面(SPI)FRAM独立式晶片，其储存容量由16Kb至最高4Mb皆备。