非晶玻璃衬底GaN LEDs 问世

　　众所周知，相对于生长在蓝宝石晶片上的GaN基发光二极管(GaN LEDs)，生产商更愿意选择提高硅衬底氮化镓发光二极管(GaN-on-Si-based LEDs)技术，因为蓝宝石晶圆的LED价格昂贵，而且不适合大尺寸的晶圆级阵列。

　　但由三星尖端技术研究所和首尔大学进行的研究发现，非晶玻璃衬底上的氮化镓发光二极管(GaN LEDs )不仅制造成本更低，在大尺寸LED晶圆级封装方面可扩展性也更强，而且由于玻璃衬底的透明度，还可用于光电发射设备。

　　据该研究显示，控制五个生长阶段InGaN/GaN多量子阱的MOCVD生长关键在于明白在在金字塔形的LED阵列里的发光层是一种薄膜钛预定向层，其与氮化镓六角形晶体结构类似。

　　继前定向层和最初的低温GaN层(LT- GaN)之后是一个洞图案的二氧化硅(SiO2)层，进一步明确了在使用外延过程中放射层生长阶段的成核点。

　　经过聚合的金字塔结构和最终的铟锡氧化物(ITO)电极层，金字塔形的LED器件照明将发出范围在448-478纳米之间600 cd/m2的亮度。