英飞凌凭借SiC JFET技术推出革命性太阳能逆变器器件

英飞凌凭借SiC JFET技术推出革命性太阳能逆变器器件

       2012年6月19日，在“2012年欧洲电力电子、智能运动、电能品质国际研讨会与展览会”上，英飞凌科技股份公司推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，该产品系列增强了英飞凌在SiC（碳化硅）产品市场的领先地位。这个革命性的新产品系列，立足于英飞凌在SiC技术开发以及高质量、大批量生产方面十多年的丰富经验。

       英飞凌科技股份公司高压功率转换产品部负责人Jan-Willem Reynaerts指出：“英飞凌已针对需要高效电源管理的市场推出了多项突破性技术。CoolSiCTM 也是一种革命性的创新技术，可将太阳能逆变器的性能提升至新的水平。凭借新型SiC JFET技术，我们可以帮助客户开发出更好的气候保护解决方案。”

       与IGBT相比，新型 CoolSiCTM 1200V SiC JFET大幅度降低了开关损耗，在不牺牲系统总体效率的情况下，可以支持更高的开关频率。这为使用更小的无源元件创造了条件，其结果是缩小客户设计的产品的尺寸，降低其重量，并压缩系统成本。换言之，设计人员可在不增加太阳能逆变器体积的情况下，实现更高的输出功率。

       为了确保常通型JFET技术的安全性和易用性，英飞凌开发出一种被称为直驱技术的概念。在这一概念中，JFET与外部低压MOSFET和专用的驱动芯片组合在一起，确保了安全的系统启动，以及快速可控的开关。 

       CoolSiCTM JFET集成了一个体二极管，其开关性能可媲美外置SiC肖特基势垒二极管。这种组合最大限度提高了器件的效率、可靠性、安全性和易用性。

供货和定价

       CoolSiCTM JFET产品和驱动芯片的首批样品于2012年第二季度供货。OEM量产预计将于2013年上半年开始。IJW120R100T1 （100mOhm）的定价为每件24.90美元（€ 18.44）（起订量为1,000件）。

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