Micron总裁：芯片制造商与设备制造商的未来将是“荣辱与共 一损俱损”

Micron总裁：芯片制造商与设备制造商的未来将是“荣辱与共 一损俱损”

　　NAND技术有些滞后的Micron公司最近正在改进自己，在NAND制造工艺的某些方面好像己经超过它的竞争对手。

　　目前Micron正在进行25nm NAND生产线的量产准备工作，计划近期将完成。在DRAM方面，它们正进行由42nm过渡到3xnm 的生产线转换。在NOR方面Micron一直是领先的厂商。因此Micron己成为一家存储器产品类别最完整的公司。

　　在SEMI主办的2011年工业策略年会ISS上，Micron的总裁与首席运营官Mark Durcan在它的演讲中谈到芯片制造业与未来存储器方面等问题， 以下是Durcan关于产业中各种问题的看法；

　　1、基于硅通孔技术TSV的3D芯片

　　Micron己经向客户提供TSV基的样品，并认为目前此类技术尚刚开始，需要指出的是该技术是可行的，肯定不是科学虚构。

　　关于TSV基的3D芯片量产问题可能要到明年或18个月之后。它并说Elpida,Samsung及Toshiba都各有自己的TSV基3D芯片，则是进度不同而己。

　　2、450mm fabs

　　Micron己经成功的由200mm完成向300mm芯片生产线的转换，但是对于未来的450mm生产线，Micron公司并不是一个忠实的支持者。

　　Durcan说，Micron并不热切盼望450mm硅片时代马上来临。Micron认为450mm硅片问题不仅是需要设备方面的变革，而是涉及到整条生产线的转移，因此对于一家存储器制造商感觉还是稳妥一些为好，不是冲动能解决的事。

　　至于究竟450mm硅片什么时候到来，应该有充分的依据来证实，450mm与300mm相比成本能节省2.5倍。

　　3、EUV光刻

　　Micron是EUV光刻的忠实支持者。它相信EUV的应用涉及到许多难题，但是尚须解决大量的配套工作。

　　4、投资竞赛

　　三星计划在2011年投资方面超过竞争对手，Micron在2011的投资也由24亿美元提高到29亿美元。

　　Durcan又说为了与三星对抗，Micron的投资必须更加有效。从技术方面Micron有许多自有的先进技术，可以值得与三星拼搏。

　　5、半导体设备的整合

　　近时期来半导体设备厂商已经进行了多次兼并，每个类别设备厂商只剩下2-3家，因此对于芯片制造商的选择余地己不多。所以未来芯片制造商与设备制造商必须更加紧密的合作，才能共同生存下去。

　　6、缩微制程

　　估计未来 DRAM可能缩小到2xnm,而NAND已经作到这个水年，所以未来缩微一定会减缓。